一种新的大功率电力半导体器件的烧结工艺  

A New Sintering Technique of High Power Semiconductor Devices

作　　者：赵善麒[1] 郑景春[1] 李景荣[1] 

机构地区：[1]北京电力电子新技术研究开发中心,国营第七七七厂半导体分厂

出　　处：《电力电子技术》1995年第2期60-63,共4页Power Electronics

基　　金：国家自然科学基金;吉林省科委的资助

摘　　要：在现有的硅－铝－钼（Ｓｉ－Ａｌ－Ｍｏ）烧结工艺的基础上，引入了铬（Ｃｒ）、镍（Ｎｉ）、银（Ａｇ）金属阻挡层，并将这一新的金属阻挡层烧结工艺应用到双向晶闸管的生产中。结果表明，该工艺能得到浅而平坦的烧结合金结，并能改善器件的反向阻断特性和通态特性的一致性，提高器件的成品率．

关 键 词：双向晶闸管 烧结 合金 

分 类 号：TN342.3[电子电信—物理电子学]