Ga阶梯分布改善快速晶闸管耐压特性  

The Improvement of the Voltage Properties of High Speed Thyristors By Forming Steps Distribution of Gallium

作　　者：裴素华[1,2,3] 赵善麒[1,2,3] 薛成山[1,2,3] 江玉清 孟繁英 

机构地区：[1]山东师范大学半导体研究所 [2]北京电力电子新技术研究开发中心 [3]吉林大学物理系

出　　处：《半导体杂志》1998年第4期30-33,44,共5页

摘　　要：利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶闸管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高斯函数分布提高２００Ｖ左右，且通态特性和动态特性保持优良。实验证明，Ｇａ的阶梯分布是制造快速晶闸管的一条新途径。The gallium dopant with a step distribution in silicon has been formed using the technology of open tube Ga diffusion and controlling the quantity of the impurity in different depth. This processing has been utilized in fabrication of high speed thyristors to improve the blocking voltage. In this study we demonstrate that the step distribution of Ge dopant formed using open tube Ga diffusion is a new optimized process to fabricate high voltage and high speed thyristors.

关 键 词：阶梯分布 耐压特性 晶闸管 掺杂 

分 类 号：TN340.53[电子电信—物理电子学]