开管镓扩散系统的研究及在电力半导体器件中的应用  

Application of Open Tube Ga Diffusion System in Power Semiconductor Devices

作　　者：裴素华[1] 薛成山[1] 赵善麒[2] 

机构地区：[1]山东师范大学半导体研究所 [2]北京电力电子新技术研究开发中心

出　　处：《Journal of Semiconductors》1998年第12期940-944,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法，用于各类晶闸管的制造，使器件具有触发参数一致性好，通态特性优良，ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量高等特点．实践证明。Abstract A new open tube Ga diffusion system is proposed and discussed. With use of this diffusion system to fabricate thyristors, the devices can have a good consistence of trigger parameters, excellent “on state” characteristics, high d v /d t and d i /d t capabilities. This new technology is worth to spread in the power semiconductor device fabrication.

关 键 词：电力半导体器件 开管镓扩散系统 应用 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]