二极管阵列声表面波存储相关卷积器的研制  

Preparation of Diode Array Surface Acoustic Wave Memory Correlator

作　　者：赵杰[1] 李晨[2] 

机构地区：[1]深圳职业技术学院电子工程系,广东深圳518055 [2]中国电子科技集团公司,北京100846

出　　处：《半导体光电》2008年第1期46-48,85,共4页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：介绍了一种LiNbO3抽头延迟线外接p+n二极管阵列结构的声表面波存储相关卷积器。器件的中心频率为30 MHz,卷积效率为-54 dBm,存储相关效率为-76 dBm,信号存储时间大于70 ms。讨论了二极管阵列少子寿命与存储时间的关系,计算了相关输出与参考信号和读信号的关系,结果表明这种结构的器件是双线性的。对这种结构器件的设计及优化提出了建议。A LiNbO3 tapped-delay-line/p^＋ n diode array surface acoustic wave （SAW） memory correlator is introduced. The central frequency of the device is 30 MHz, with the convolution efficiency and storage correlation efficiency of -54 dBm and -76 dBm, respectively. The storage time is more than 70 ms. The dependence of correlation output on reference signal and read signal are calculated. The results show that our device is ＂bilinear＂. Suggestions for the design and optimization of SAW memory correlator of this structure are given,

关 键 词：存储相关卷积器 二极管阵列 少子寿命 声表面波 抽头延迟线 电子辐照 

分 类 号：TP333.5[自动化与计算机技术—计算机系统结构]