基于BiFET结构的宽带低噪声放大器设计  

Design of Wide-Band BiFET Low-Noise Amplifier

作　　者：王永利[1] 王倩[1] 黄亚森[1] 梁锋[1] 高建军[1] 

机构地区：[1]东南大学信息科学与工程学院,南京210096

出　　处：《电子器件》2008年第2期596-599,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：新世纪人才支持计划(NCET-05-0464);江苏省自然科学基金(BK2006069)资助项目

摘　　要：采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺实现了双极型晶体管和场效应管结合结构(BiFET结构)的宽带低噪声放大器。电路的输入端采用切比雪夫带通滤波器实现了宽频带范围的阻抗匹配。版图设计的仿真结果表明,在2～3GHz的频带范围内,该低噪声放大器的噪声系数为2.2～2.7dB,增益为20～22.7dB,输入端反射系数为-17～-12dB。A 0. 35 μm SiGe BiCMOS broadband Low-noise Amplifier （LNA） is presented,which is based on a configuration of Bipolar cascoded with MOSFET （BiFET configuration）. The Chebychev band-pass filter is employed to fulfill wide-band input impendence matching. The post-layout simulation results show that the LNA exhibits a noise figure of 2.2-2.7 dB, a power gain of 20-22.7 dB and an input reflection coefficient of -17--12 dB at 2-3 GHz frequency range.

关 键 词：低噪声放大器 BiFET结构 切比雪夫滤波器 

分 类 号：TN433[电子电信—微电子学与固体电子学] TN722