王倩

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供职机构：东南大学信息科学与工程学院更多>>
发文主题：放大器设计宽带低噪声切比雪夫滤波器低噪声放大器金属氧化物半导体场效应晶体管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《电子器件》更多>>
所获基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”江苏省自然科学基金更多>>
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射频MOSFET噪声模型研究
《固体电子学研究与进展》2008年第4期511-515,共5页黄亚森 王倩 袁成 高建军 
江苏省自然科学基金项;新世纪人才支持计划(NCET-05-0464)
对0.13μm MOSFET噪声建模和参数提取技术进行了研究,在精确地提取了小信号模型参数之后,利用噪声相关矩阵技术从测量的散射参数和射频噪声参数直接提取了栅极感应噪声电流■、沟道噪声电流■和它们的相关系数,并用PRC模型中的参数来表...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 噪声模型 参数提取 
基于BiFET结构的宽带低噪声放大器设计
《电子器件》2008年第2期596-599,共4页王永利 王倩 黄亚森 梁锋 高建军 
新世纪人才支持计划(NCET-05-0464);江苏省自然科学基金(BK2006069)资助项目
采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺实现了双极型晶体管和场效应管结合结构(BiFET结构)的宽带低噪声放大器。电路的输入端采用切比雪夫带通滤波器实现了宽频带范围的阻抗匹配。版图设计的仿真结果表明,在2～3GHz的频带范围内,该低噪声放大器...
关键词：低噪声放大器 BiFET结构 切比雪夫滤波器 
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