HgCdTe光导探测器的磁阻特性  

THE MAGNETORESISTANCE PROPERTIES OF HgCdTe PHOTOCONDUCTIVE DETECTORS

作　　者：桂永胜[1] 褚君浩[1] 郑国珍[1] 郭少令[1] 汤定元[1] 蔡毅[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 [2]昆明物理研究所

出　　处：《红外与毫米波学报》1997年第4期256-260,共5页Journal of Infrared and Millimeter Waves

摘　　要：测量了３个ＨｇＣｄＴｅ光导器件和一块液相外延生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料的磁阻．用两种载流子模型的约化电导张量（ＲＣＴ）过程对实验数据进行了分析，拟合结果与实验值符合得很好．The magnetoresistance of three HgCdTe photoconductive detectors and one liquid phase epitaxially grown HgCdTe film was measured. The fitting results analyzed by a two carrier model of reduced conductivity tensor (RCT) scheme agree well with the experimental data.

关 键 词：光导探测器 磁阻 汞镉碲 RCT 红外探测器 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]