CdTe(110)弛豫表面电子态的计算  

CALCULATION OF ELECTRONIC STATES OF THE CdTe(110) RELAXED SURFACE

作　　者：贾瑜[1] 范希庆[1] 马丙现[1] 

机构地区：[1]郑州大学物理工程学院

出　　处：《物理学报》1997年第10期1999-2006,共8页Acta Physica Sinica

摘　　要：利用形式散射理论，采用次近邻的紧束缚模型计算了ＣｄＴｅ（１１０）弛豫表面的电子结构，给出了总体、局域及分波态密度，并给出了表面能带．所得到的结果与实验和第一原理计算结果符合得很好．通过分析表面态的变化，指出表面发生弛豫的原因主要是阴阳离子的ｐ态电子的相互作用加强所致．By using the method of phenomenological scattering thoery,we have calculated the electronic structure of the CdTe(110) relaxed surface.The results are in good agreement with the experiments and other calculations.By analyzing the results we have discussed the origin of relaxation of CdTe(110) surface.

关 键 词：表面能带 碲化镉 弛豫表面 电子态 

分 类 号：TN304.22[电子电信—物理电子学] O471[理学—半导体物理]