四种材料构成的超晶格能带结构的研究  

STUDY ON THE BAND STRUCTURE OF SUPERLATTICES COMPOSED WITH FOUR MATERIALS

作　　者：田园 彭宇恒[2] 陈维友[2] 张宝林[1] 金亿鑫[1] 

机构地区：[1]中国科学院长春物理研究所,长春130021 [2]吉林大学电子工程系,长春130021

出　　处：《光子学报》1997年第7期599-603,共5页Acta Photonica Sinica

摘　　要：本文对由AIAs，AIyGl-yAs、AIxGal-xAs和GaAs四种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究．通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自旋向上和自徒向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方．We discuss the spin - splitting on the valence - band state of quart - constituent materialsuperlattices : AlAs, AlyGal-yAs, Alx Gal-xAs and GaAs. By varying the material compositions or thelayer thickness,we observed that the bands corresponding to the spin-up and spin-down split when thesuperlattice unit-cell is asymmetrical about the cell center. Moreover,the splitting mainly occurs at theregion where the heavy hole and light hole interact on each other strongly.

关 键 词：能带结构 超晶格 自旋劈裂 量子阱 半导体 

分 类 号：O471[理学—半导体物理]