晶相β-C_3N_4薄膜的制备  

Brief Communications Growth of Crystalline β C 3N 4 Thin Films *

作　　者：顾有松[1] 段振军 尹海刚 赵敏学[1] 常香荣[1] 田中卓[1] 肖纪美[1] 袁磊[2] 

机构地区：[1]北京科技大学材料物理系 [2]中国科学院凝聚态物理中心

出　　处：《物理》1997年第8期449-450,共2页Physics

基　　金：国家自然科学基金;新金属材料国家重点实验室资助项目

摘　　要：晶相βＣ３Ｎ４薄膜的制备是近年来材料物理学的一个重要课题．采用微波增强等离子体化学气相沉积的方法，成功地制备了基本上均匀、连续、致密的βＣ３Ｎ４晶相薄膜．晶粒的氮碳含量比正好为４∶３，并且其（１００）面平行于Ｓｉ（１００）的表面．Continuous,dense and quite homogenous films of crystalline β C 3N 4 have been successfully grown by MPCVD.The atomic ratio of the crystallimes is exactly N∶C=4∶3, and its(100)surface is parallel to Si(100).Characteristic Raman lines appear at 250cm -1 and 302cm -1 .

关 键 词：β-C3N4晶相 拉曼特征谱 薄膜 超硬材料 制备 

分 类 号：TQ163[化学工程—高温制品工业] TB43[一般工业技术]