铁电薄膜非制冷红外探测器的技术发展  

Technical development of ferroelectric thin film uncooled infrared detector

作　　者：褚君浩[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

出　　处：《红外与激光工程》2008年第1期9-13,共5页Infrared and Laser Engineering

基　　金：国家自然科学基金资助项目(6022150260777044);上海市自然基金重点项目(07TC14018)

摘　　要：介绍了课题组在铁电薄膜的制备、特性研究以及非制冷红外探测技术方面的研究结果。研究获得了几种控制铁电薄膜微结构(如晶粒尺寸、晶粒形状、Ba1-xSrxTiO3(BST)和PbZrxTi1-xO3(PZT)铁电薄膜的择优取向生长等)的新技术;研制出具有高度自极化特性的0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3(PMNT)弛豫铁电薄膜;探索了一种具有将红外转化为可见光机制的新型光读出方式;发明了PZT薄膜的低温(400°C)生长方法。此外,还介绍了256×1线列铁电薄膜非制冷红外探测器的研制及部分成像结果。Some results on the preparation and the properties of ferroelectric thin films for uncooled infrared detection in our group are presented.Several novel technologies have been developed to control the microstructures,e.g.,grain size,grain shape,and the texture of Ba1-xSrxTiO3（BST）,PbZrxTi1-xO3（PZT） thin films.The preparation of 0.7Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-0.3PbTiO3（PMNT） relaxor films with highly self-polarization,a novel readout mode with infrared-visible transition mechanism,and the preparation of PZT thin films at low temperature（400℃） are presented and discussed.The preparation of 256×1 pixels uncooled infrared detector as well as some infrared thermal images is also reported.

关 键 词：铁电薄膜 微结构控制 非制冷红外探测 

分 类 号：TB866[一般工业技术—摄影技术]