320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器  

320×256 GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector

作　　者：史衍丽 

机构地区：[1]昆明北方红外技术股份有限公司探测器中心,云南昆明650215

出　　处：《红外与激光工程》2008年第1期42-44,101,共4页Infrared and Laser Engineering

基　　金：武器装备预先研究项目(40405030104)

摘　　要：采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30μm,像元光敏面28μm×28μm,两像元间距2μm,达到了目前国际上1k×1k量子阱焦平面探测器像元间距研制水平。通过对320×256阵列上设计的陪管区进行光电性能测试,平均黑体探测率1.66×109 cm.Hz/W-1,响应率89.6 mA/W。320×256 GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector was fabricated successfully for the first time.The active sensitive area was 28 μm×28 μm,center distance was 30 μm.Through measuring the tested detector elements,average black detectivity of 1.66×10^9 cm·Hz^1/2·W^-1 and black responsivity of 89.6 mA/W was obtained.

关 键 词：320×256 GAAS/ALGAAS 量子阱红外探测器 黑体探测率 响应率 

分 类 号：TN362[电子电信—物理电子学]