基于生长方向的P型ZnO薄膜特性的研究  

Study of electrical and structural properties of p-type ZnO films along to the growth direction

作　　者：焦宝臣[1,2,3,4] 张晓丹[1,2,3] 赵颖[1,2,3] 魏长春[1,2,3] 孙建[1,2,3] 赵静 杨瑞霞[4] 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071 [2]南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071 [3]光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津300071 [4]河北工业大学信息学院,天津300130 [5]天津新华职工大学,天津300040

出　　处：《光电子．激光》2008年第4期482-485,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60506003);天津市自然科学基金资助项目(05YFJMTC01600);南开大学博士启动基金资助项目(J02031);科技部国际合作重点资助项目(2006DFA62390);国家重点基础研究发展规划资助项目(2006CB202602,2006CB202603);新世纪优秀人才计划资助项目

摘　　要：利用超声雾化热分解法(USP),通过N-Al共掺的方法,制备出p型ZnO薄膜。利用霍尔测试、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜分析了不同生长时间ZnO薄膜样品的电学特性、结构和表面形貌的变化。结果表明:其它条件固定时,只有在合适的生长时间条件下,才能得到电学性能较好的N-Al共掺p型ZnO薄膜(电阻率为46.8Ω.cm、迁移率为0.05cm2.V-1.s-1、载流子浓度是2.86×1018cm-3。N -Al co-doped p-type ZnO films were Fabricated by ultrasonic spray pyrolysis. Electrical properties, structural properties,and surface morphology of the ZnO films which were fabricated at diffrent growth times were studied by Hall measurement,X ray diffraction（XRD） and scanning electron microscope（SEM） ,respectively, The results indicated that N-Al co doped p type ZnO film with relatively good properties that include resistivity of 16.8 Ω·cm .hall molbility of 0.05 cm^2 V ^-1 s ^-1 and carrier concentration of 2.86 ×10^18cm^-3was obtained at a suitable growth when when conditions were fixed.

关 键 词：超声雾化热分解法 N-Al共掺ZnO P型ZNO 

分 类 号：O484[理学—固体物理]