超深亚微米IC设计中的天线效应  

Antenna Effect in VDSM IC Design

作　　者：李蜀霞[1] 刘辉华[1] 赵建明[1] 何春[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子电子科学技术研究院,成都610054

出　　处：《中国集成电路》2008年第4期50-54,共5页China lntegrated Circuit

摘　　要：本文主要分析了超深亚微米集成电路设计中天线效应产生机理及其消除方法,同时还给出了天线比率的具体计算方法。将这些方法应用于雷达信号处理SOC芯片后端设计中,解决了设计中存在的天线效应问题,保证了一次流片成功。The paper analyzed the mechanism and elimination methods of Process Antenna Effect in Ultra-deep submicron IC design, also provided the antenna ratio calculation mehod.And these methods were adopted in ＂CCOMP Radar SOC＂ layout design successfully.

关 键 词：天线效应 栅氧 超深亚微米 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学] TB383[一般工业技术—材料科学与工程]