基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光界面接触形式研究  

Investigation on Contact Form of Interface in Silicon Wafer CMP Based on Abrasion Behavior

作　　者：苏建修[1] 杜家熙[1] 陈锡渠[1] 张学良[1] 郭东明[2] 

机构地区：[1]河南科技学院机电学院,河南新乡453003 [2]大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁大连116024

出　　处：《摩擦学学报》2008年第2期108-111,共4页Tribology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50390061);河南省教育厅自然科学研究计划资助项目(2008B460007);河南科技学院高层次人才启动基金资助项目

摘　　要：设计了3种不同的抛光液并进行一系列抛光试验,得到机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率,分析了化学机械抛光时硅片与抛光垫之间接触形式的判别方法及其抛光机理.结果表明:化学机械抛光中的主要作用为磨粒的机械作用;材料的去除率主要为磨粒与抛光液交互作用所引起的材料去除率;硅片表面材料的去除形式主要为化学作用下的二体磨粒磨损;化学机械抛光时硅片与抛光垫之间的接触形式为实体接触.Three different slurries were used to polish silicon wafers in a series tests, and the material removal rate （MRR） due to mechanical action, chemical action, and interaction was investigated. The criteria of contact modes tween abrasives and polishing slurry. The main material removal of silicon wafer surfaces was two body abrasive wear under chemical interaction. Solid-solid contact was the main contact form between silicon wafer and polishing pad during chemical mechanical polishing.

关 键 词：化学机械抛光 材料去除机理 材料去除率 磨粒磨损 接触形式 

分 类 号：TN305.12[电子电信—物理电子学] TH117.3[机械工程—机械设计及理论]