雪崩击穿特性的高压硅二极管  

作　　者：项兴荣 

机构地区：[1]天津中环半导体公司

出　　处：《半导体技术》1997年第5期35-37,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：叙述了具有雪崩击穿特性的高压二极管的设计及一次全扩散工艺概况以及实际应用的效果。

关 键 词：高压二极管 雪崩击穿 一次全扩散 

分 类 号：TN313.105[电子电信—物理电子学]