无线应用CMOS低噪声放大器的设计  

Design of CMOS RF Low Noise Amplifier for Wireless Applications

作　　者：李江涛[1] 周平[1] 

机构地区：[1]重庆邮电大学应用物理研究所

出　　处：《微电子学》2008年第2期267-270,共4页Microelectronics

基　　金：重庆市教育委员会基金资助项目(KJ070502)

摘　　要：基于射频CMOS集成电路技术,设计出用于无线通信系统的CMOS低噪声放大器。对影响其增益、噪声系数的阻抗匹配进行了分析。采用TSMC的0.35μm射频工艺库,在ADS仿真平台上对低噪声放大器电路进行了仿真。其中,低噪声放大器设计成差分结构,提供了13 dB增益、-10 dBmIIP3、-13 dBmP1dB、1.9 dB的噪声系数和55 mW的功耗。Based on CMOS RF IC technology, a CMOS RF low noise amplifier for wireless communication system was developed. Using TSMC＇s 0. 35 tan RF process library, the circuit was simulated with ADS software. In this circuit, the LNA was designed with a differential structure, and so it could provide a gain of 13 dB, an IIP3 （Input third order interception point） of - 10 dBm, a P1dB （1 dB input compression point） of - 13 dBm and an NF （noise figure） of 1. 9 dB, with 55 mW of power （including output buffer）.

关 键 词：射频前端 宽带低噪声放大器 噪声系数 线性度 

分 类 号：TN722.3[电子电信—电路与系统]