相变存储器驱动电路的设计与实现  

Design and Realization of Driving Circuit for Phase-Change RAM Chip

作　　者：沈菊[1] 宋志棠[1] 刘波[1] 封松林[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米存储技术联合实验室,上海200050

出　　处：《半导体技术》2008年第5期431-434,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家863计划(2006AA03Z360);国家重点基础研究发展计划(2007CB935400;2006CB302700);上海市科委资助项目(06QA14060;06XD14025;0652nm003;06DZ22017;0752nm013;07QA14065)

摘　　要：介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理,设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16Kb以及1Mb容量的相变存储器芯片的设计,并采用中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的0·18μm标准CMOS工艺实现。该驱动电路通过Hspice仿真,表明带隙基准电压、偏置电流均具有较高的精度,取得了良好的仿真结果,在16Kb相变存储器芯片测试中,进一步验证了以上仿真结果。The basic principle of a novel driving circuit of phase-change RAM chip was described, and a driving circuit by current driving was designed. The driving circuit consists of voltage reference, current bias, current mirror andcontrol logic circuit. It was integrated with both 16 Kb and 1 Mb phase-change RAM chip using the standard 0.18 μm CMOS process of SMIC. Hspice simulation shows that the driving circuit has a high precision, both for the voltage reference and current bias circuit. The chip was tested and the simulation result was demonstrated.

关 键 词：相变存储器 电流驱动 基准电压 偏置电流 电流镜 互补金属氧化物半导体 

分 类 号：N432[自然科学总论] TN86[电子电信—信息与通信工程]