Si表面Si-OH、SiO2结构的LDA与GGA研究  

The approximate calculation of Si-OH SiO_2 on Si surface by LDA and GGA method

作　　者：杨春[1] 廖子夷[2] 余毅[2] 周明秀[1] 郁卫飞[3] 黄辉[3] 

机构地区：[1]四川师范大学计算机软件重点实验室,成都610068 [2]四川师范大学化学与材料学院,成都610068 [3]中国工程物理研究院化工材料研究所,四川绵阳621000

出　　处：《深圳大学学报（理工版）》2008年第2期187-191,共5页Journal of Shenzhen University(Science and Engineering)

基　　金：国家“973”重点基础研究发展规划资助项目(61363Z01.3);四川省杰出青年基金资助项目(07ZQ026-021);中国工程物理研究院化工材料研究所资助项目

摘　　要：在Si(001)面上建立2×1两种模型,表面分别为Si-OH结构和Si-O-Si桥氧结构.在周期性边界条件下的k空间中,采用局域密度近似法和广义梯度近似法,对比计算两种体系的能量和表面结构.研究表明,广义梯度近似法更适合硅复合材料表面Si-OH和SiO2结构的计算.Two models have been buit on 2 × 1 Si （001） surfaces whose structures are Si-OH and Si-O-Si oxygenic bridge. The system energies and surface structures are comparatively calculated by generalized gradient approximation （GGA） and local density approximation （LDA）, based on density functional theory （DFT） in k-point space with periodic boundary condition. After analysis of the calculation data in comparison with the experiment data, it is concluded that using GGA method is more suitable than LDA to calculate the surface structure of Si compound materials.

关 键 词：Si—OH SiO2 密度泛函 局域密度近似 广义梯度近似 

分 类 号：O472.1[理学—半导体物理]