立方氮化硼薄膜注入Be的Hall效应研究  

Hall Effect of Be-implanted Cubic Boron Nitride Thin Films

作　　者：何斌[1] 陈光华[1] 郜志华[1] 邓金祥[2] 张文军[3] 

机构地区：[1]北京工业大学材料科学与工程学院,北京100022 [2]北京工业大学应用数理学院,北京100022 [3]香港城市大学物理和材料科学系,中国香港特别行政区

出　　处：《人工晶体学报》2008年第2期504-506,共3页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：北京市自然科学基金(No.4072007);国家自然科学基金(No.60376007);香港研究资助局(CityU 122805 and CityU 123806)

摘　　要：本文应用RF溅射法,在n型Si（100）衬底上制备BN薄膜。首次用离子注入工艺,将铍（Be）离子注入到BN薄膜中使之成为p-型。我们用范德堡方法对该薄膜进行了室温下的霍尔效应测量,薄膜为p型导电,电阻率为10^-3Ω.cm左右,迁移率14-28 cm^2/V.S,载流子浓度10^19-10^20cm^-3,霍尔系数10^-1cm^-3/C左右,用此法制备的p-BN/n-BN异质结,有明显的整流特性。BN thin film was prepared by RF sputtering on n-Si（100） wafer. We used ion implantation technique to introduce Be ＋ into BN thin film, and the film showed p-type semiconductor properties. We firstly used Van der Pauw method to measure the Hall Effect of the doped film at room temperature, and the film showed p-type conductivity which resistivity was around 10^-3Ω.cm, mobility was 14~28 cm^2/V.S, carrier concentration was 10^19~10^20cm^-3 and Hall coefficient was about 10^-1cm^3/C. The p-BN/n-Si heterojunction showed obvious rectifier characteristics.

关 键 词：BN薄膜 铍离子注入 霍尔效应 

分 类 号：O484[理学—固体物理]