X射线剂量增强效应  

X ray Dose Enhancement Effects *

作　　者：陈盘训[1] 周开明[1] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院应用电子学研究所

出　　处：《物理》1997年第12期725-728,共4页Physics

基　　金：国防科工委基金

摘　　要：简述了Ｘ射线辐射对材料产生剂量增强效应的物理过程，着重介绍了Ｘ射线剂量增强对电子器件的影响．这种剂量增强使Ｘ射线辐射引起的损伤比能量较高的γ射线要严重得多．A brief description of the physical process of dose enhancement effects produced by X-ray radiation on materials is given, with emphasis on the influence on electronic devices. The damages caused by X-ray radiation dose enhancement is more serious that of than γ-ray with higher energy.

关 键 词：X射线 剂量增强 辐射损伤 电子器件 

分 类 号：TN609[电子电信—电路与系统]