陈盘训

作品数：15被引量：37H指数：4
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供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文主题：X射线双极晶体管总剂量重金属双极更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程核科学技术更多>>
发文期刊：《核技术》《辐射研究与辐射工艺学报》《核电子学与探测技术》《中国核科技报告》更多>>
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模拟电路的单粒子瞬时效应被引量：1
《核技术》2006年第3期194-197,共4页陈盘训 周开明 
综合介绍一种新的单粒子作用现象。模拟电路在单个重离子撞击下,在输出端产生瞬时信号,这种瞬时扰动可能影响到连接模拟电路输出端的电路,例如运算放大器的输出可能连接到数字计数器的输入端,由重离子引起放大器足够大的瞬时输出脉冲可...
关键词：模拟电路 单粒子瞬时 脉冲激光 线性能量转移 
系统低剂量率失效和加速模拟试验方法被引量：1
《核技术》2003年第2期132-136,共2页陈盘训 
综述双极器件和双极线性电路在低剂量率辐射环境下的增强损伤,它可引起系统的早期失效。分析了引起低剂量率失效的物理机制,它与MOS器件电离辐射的损伤机制完全不同。为了缩短模拟试验时间和提高效/费比,研究了几种加速模拟试验方法,并...
关键词：低剂量率 失效 辐射损伤 模拟试验 
双极晶体管总剂量辐射失效概率
《电子技术参考》2002年第2期1-4,8,共5页陈盘训 谢泽元 
为了研究器件辐射回固性能的评估方法，对三种双极晶体管3DK9D、3DG6D和3DG4C（每种100只）做失效概率PF和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明，用Weibull分布可以较好地描述PF和D的关系。B以hFE(D)/hFE(0)=80%、70％、50％为器件失效...
关键词：辐射 双极晶体管 总剂量 失效判据 失效概率 
双极晶体管总剂量辐射失效概率被引量：1
《中国核科技报告》2002年第1期34-40,共7页陈盘训 谢泽元 
对三种双极晶体管3DK9D,3DG6D和3DG4C(每种100只)作了失效概率PF与γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述PF和D的关系。取hFE(D)/hFE(O)=80%,70%,50％为器件失效判据,实验结果表明,失效分布曲线取决于失效判据...
关键词：双极晶体管 总剂量 失效判据 失效概率 
X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算被引量：1
《核电子学与探测技术》2001年第3期208-210,共3页牟维兵 陈盘训 
当 X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低 Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用 MCNP Monte- Carlo程序计算了钨 -硅、钽
关键词：X射线 界面 辐射损伤 剂量增强系数 重金属-硅 大规模集成电路 CMOS MCNP Monte-Carlo程序 
X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算被引量：5
《强激光与粒子束》2001年第1期15-18,共4页牟维兵 陈盘训 
国防科工委基金资助课题
当Ｘ射线射入不同材料组成的界面时，在低Ｚ材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理，并用ＭＣＮＰ蒙特－卡罗程序计算了钨－二氧化硅、钽－二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在Ｘ射线能量为１００～１５...
关键词：X射线 界面 辐射损伤 剂量增强因子 
用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数被引量：13
《物理学报》2001年第2期189-192,共4页牟维兵 陈盘训 
当X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低Z材料的一侧将产生剂量增强 .介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用蒙特 卡洛程序计算了钨 硅、钽 硅、钨 二氧化硅和钽 二氧化硅界面的剂量增强系数 .
关键词：X射线 界面 辐射损伤 剂量增强系数 重金属 蒙特卡罗法 大规律COMOS电路 
双极线性集成电路低剂量率辐射的增强损伤被引量：10
《核电子学与探测技术》1999年第5期333-337,共5页陈盘训 
综合介绍了双极线性集成电路在低剂量率辐射下产生的异常损伤，即在低剂量率下辐射时，这些器件在很低的总剂量水平下即告失效，失效阈较高剂量率辐射要低得多。它是因构成线性电路的双极器件发射极－基极结上覆盖了厚氧化物，低剂量率...
关键词：线性 集成电路 低剂量率 辐射 增强损伤 
X射线剂量增强效应被引量：8
《物理》1997年第12期725-728,共4页陈盘训 周开明 
国防科工委基金
简述了Ｘ射线辐射对材料产生剂量增强效应的物理过程，着重介绍了Ｘ射线剂量增强对电子器件的影响．这种剂量增强使Ｘ射线辐射引起的损伤比能量较高的γ射线要严重得多．
关键词：X射线 剂量增强 辐射损伤 电子器件 
CMOS 电路 X 射线辐射剂量增强效应被引量：2
《核技术》1997年第7期391-394,共4页陈盘训 周开明 
国防科工委基金
研究了ＣＭＯＳ电路在Ｘ射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应，测量了相对剂量增强系数。对不同工艺ＣＭＯＳ电路的剂量增强系数进行了比较，并对高原子序数材料的Ｘ射线剂量增强机理进行了讨论。
关键词：CMOS电路 X射线 剂量增强 辐射效应 集成电路 
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