双极晶体管总剂量辐射失效概率  

作　　者：陈盘训[1] 谢泽元[1] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院电子工程研究所，四川锦阳621900

出　　处：《电子技术参考》2002年第2期1-4,8,共5页

摘　　要：为了研究器件辐射回固性能的评估方法，对三种双极晶体管3DK9D、3DG6D和3DG4C（每种100只）做失效概率PF和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明，用Weibull分布可以较好地描述PF和D的关系。B以hFE(D)/hFE(0)=80%、70％、50％为器件失效判据，实验测得的失效分布曲线取决于失效判据。根据PF和D的关系曲线，就可得到三种双极晶体管任意总剂量下的失效概率。它可用于电子线路总剂量辐射下生存概率的评估。

关 键 词：辐射 双极晶体管 总剂量 失效判据 失效概率 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]