谢泽元

作品数：7被引量：18H指数：3
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供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文主题：超宽带总剂量电磁脉冲总剂量辐射双极晶体管更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术理学更多>>
发文期刊：《核电子学与探测技术》《中国核科技报告》更多>>
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UWB电磁脉冲圆孔耦合计算及试验研究被引量：6
《核电子学与探测技术》2011年第1期58-61,共4页杜川华 谢泽元 许献国 
采用电磁场数值计算软件CST计算了前沿为400ps的UWB电磁脉冲辐射场通过不同直径的圆形孔耦合到金属屏蔽腔体内的电场,对相同尺寸的带圆孔的金属屏蔽腔体在UWB辐射模拟源上进行了验证试验。通过理论计算和试验测试得到的电场衰减系数符...
关键词：CST 超宽带 电磁脉冲 电场 
一种宽频带小型化光纤电场测量系统的研制被引量：4
《信息与电子工程》2010年第1期30-32,共3页周开明 王艳 谢泽元 
设计了一种宽频带小型化模拟量光纤电场测量系统,解决了核爆、雷电和电磁脉冲模拟器等辐射源产生的强电磁干扰环境下的瞬态电场测量问题。该系统采用单极子天线将空间瞬态电场转化为瞬态电压,并由置于探头内部的微型发射机将瞬态电压信...
关键词：超宽带 模拟量光纤 电场测量 自动功率控制 
瞬时辐射对80C31单片机性能的影响被引量：7
《核电子学与探测技术》2006年第6期981-984,共4页周开明 谢泽元 杨有莉 
研究了80C31单片机瞬时剂量率辐射特性和闭锁电流随“闪光-1”γ射线剂量率的变化规律,分析了80C31单γ片机在浅和深闭锁时具有不同的电流特性。
关键词：80C31单片机 剂量率 闭锁电流 
双极晶体管总剂量辐射失效概率
《电子技术参考》2002年第2期1-4,8,共5页陈盘训 谢泽元 
为了研究器件辐射回固性能的评估方法，对三种双极晶体管3DK9D、3DG6D和3DG4C（每种100只）做失效概率PF和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明，用Weibull分布可以较好地描述PF和D的关系。B以hFE(D)/hFE(0)=80%、70％、50％为器件失效...
关键词：辐射 双极晶体管 总剂量 失效判据 失效概率 
双极晶体管总剂量辐射失效概率被引量：1
《中国核科技报告》2002年第1期34-40,共7页陈盘训 谢泽元 
对三种双极晶体管3DK9D,3DG6D和3DG4C(每种100只)作了失效概率PF与γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述PF和D的关系。取hFE(D)/hFE(O)=80%,70%,50％为器件失效判据,实验结果表明,失效分布曲线取决于失效判据...
关键词：双极晶体管 总剂量 失效判据 失效概率 
双极晶体管总剂量辐射失效概率
《核电子学与探测技术》1993年第5期259-264,共6页陈盘训 谢泽元 高文明 何武良 
对三种双极晶体管3DG4C、3DG6D和3DK9D(每种100只)作了失效概率P_F和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述P_F和D的关系。取h(D)/h(O)=80％、70％、50％为器件失效判据,实验结果表明,失效分布曲线取决于失效...
关键词：双极晶体管 总剂量 失效判据 失效概率 
CMOS电路γ总剂量辐射效应评论
《核电子学与探测技术》1992年第1期27-34,共8页陈盘训 高文明 谢泽元 米榜 
本文从实验结果出发,评论了国产市售和加固CMOS电路抗γ总剂量的辐射特性。介绍了几种工艺CMOS电路阈电压、静态功耗电流、输入输出特性和传输延迟时间等对总剂量辐射的不同响应规则。对多种实验电路进行了为期两年的辐射特性退火观察...
关键词：CMOS电路 总剂量 辐射加固 退火 
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