高文明

作品数：3被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：中国工程物理研究院更多>>
发文主题：总剂量CMOS电路CDTEΓ剂量率光纤更多>>
发文领域：核科学技术电子电信更多>>
发文期刊：《核电子学与探测技术》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
CdTe在高γ剂量率探测中的应用
《核电子学与探测技术》1993年第6期373-377,共5页高文明 贾焕义 
本文介绍CdTe半导体材料在γ射线辐照下发射近红外光的原理,用“闪光—1”加速器输出的γ脉冲对该样品作了性能测试,获得了有用的数据。实验结果表明,自制的CdTe样品可应用于高γ剂量率的探测中。
关键词：CDTE 近红外 探测 光纤 
双极晶体管总剂量辐射失效概率
《核电子学与探测技术》1993年第5期259-264,共6页陈盘训 谢泽元 高文明 何武良 
对三种双极晶体管3DG4C、3DG6D和3DK9D(每种100只)作了失效概率P_F和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述P_F和D的关系。取h(D)/h(O)=80％、70％、50％为器件失效判据,实验结果表明,失效分布曲线取决于失效...
关键词：双极晶体管 总剂量 失效判据 失效概率 
CMOS电路γ总剂量辐射效应评论
《核电子学与探测技术》1992年第1期27-34,共8页陈盘训 高文明 谢泽元 米榜 
本文从实验结果出发,评论了国产市售和加固CMOS电路抗γ总剂量的辐射特性。介绍了几种工艺CMOS电路阈电压、静态功耗电流、输入输出特性和传输延迟时间等对总剂量辐射的不同响应规则。对多种实验电路进行了为期两年的辐射特性退火观察...
关键词：CMOS电路 总剂量 辐射加固 退火 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部