X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算  

Calculation of the dose enhancement factor to W-Si and Ta-Si interface

作　　者：牟维兵[1] 陈盘训[2] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院核物理与化学研究所 [2]中国工程物理研究院应用电子学研究所

出　　处：《核电子学与探测技术》2001年第3期208-210,共3页Nuclear Electronics & Detection Technology

摘　　要：当 X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低 Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用 MCNP Monte- Carlo程序计算了钨 -硅、钽The dose is enhanced in low Z material when X ray enters the interface which is constructed with different materials. The mechanic of dose enhancement is introduced in this article, and the dose enhancement factor of W Si, Ta Si interface are calculated.

关 键 词：X射线 界面 辐射损伤 剂量增强系数 重金属-硅 大规模集成电路 CMOS MCNP Monte-Carlo程序 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学] O434.14[机械工程—光学工程]