CMOS 电路 X 射线辐射剂量增强效应  

Dose enhancement effects of X-ray radiation in CMOS circuits

作　　者：陈盘训[1] 周开明[1] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院应用电子学研究所

出　　处：《核技术》1997年第7期391-394,共4页Nuclear Techniques

基　　金：国防科工委基金

摘　　要：研究了ＣＭＯＳ电路在Ｘ射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应，测量了相对剂量增强系数。对不同工艺ＣＭＯＳ电路的剂量增强系数进行了比较，并对高原子序数材料的Ｘ射线剂量增强机理进行了讨论。The performance degradation and dose enhancement effects of CMOS circuits in an X-ray radiation environment are presented The relative dose enhancement factors (RDEF) are measured and the RDEF of CMOS manufactured in different technological conditions are compared The mechanism of X-ray dose enhancement for the material with higher atomic number is discussed

关 键 词：CMOS电路 X射线 剂量增强 辐射效应 集成电路 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]