X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算  

Simulative calculation of the dose enhancement factor of W-SiO_2 and Ta-SiO_2 interface

作　　者：牟维兵[1] 陈盘训[2] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳621900 [2]中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900

出　　处：《强激光与粒子束》2001年第1期15-18,共4页High Power Laser and Particle Beams

基　　金：国防科工委基金资助课题

摘　　要：当Ｘ射线射入不同材料组成的界面时，在低Ｚ材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理，并用ＭＣＮＰ蒙特－卡罗程序计算了钨－二氧化硅、钽－二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在Ｘ射线能量为１００～１５０ｋｅＶ时，界面附近二氧化硅一侧存在较大的剂量增强。The dose would be enhanced in low Z material when X-ray enters the interface which is constructed with different materials. In this article the mechanic of dose enhancement is introduced, and the dose enhancement factors of W-SiO2 interface are calculated. The calculated results demonstrate that there exits stronger dose-enhancement in the SiO2 side near the interface when the energy of X-ray is between 100 keV and 150 keV.

关 键 词：X射线 界面 辐射损伤 剂量增强因子 

分 类 号：O434.1[机械工程—光学工程]