碳化硅材料与器件  

SiC Materials and Devices

作　　者：M．舒尔 Sergey Rumyantsev Michael Levinshtein 胡光华[3] 

机构地区：[1]Rensselaer Polytechnic Institute, USA [2]Loffe Institute of the Russian Academy of Sciences, Russia [3]原中国科学院物理学研究所

出　　处：《国外科技新书评介》2008年第5期17-18,共2页Scientific & Technology Book Review

摘　　要：对碳化硅的研究从1907年就开始了，当时H．J．Round通过在一个金属针和碳化硅晶体之间加上偏压示范了黄色与兰色的辐射光。1932年俄国科学家OleyLosev发现了出自碳化硅的两种类型的光辐射，现在我们称之为预击穿光线和场致发光辐射。人们在半个世纪以前已经认识到了在半导体电子学中使用碳化硅的潜力。它最值得注意的性质是（1）宽能带间隔，对于不同的多形体为3至3．3eV；

关 键 词：碳化硅材料 器件 半导体电子学 碳化硅晶体 ROUND 光辐射 辐射光 科学家 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学] TN303