一种1.5 GHz 0.25 μm CMOS低噪声放大器设计  

Design of a 1.5 GHz 0.25 μm CMOS Low Noise Amplifier

作　　者：王良坤[1] 马成炎[2] 叶甜春[1] 

机构地区：[1]中科院微电子研究所,北京100029 [2]杭州中科微电子有限公司,杭州310053

出　　处：《电子器件》2008年第3期841-844,共4页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：提出并设计了一种应用于GPS接收机中的1.5 GHz低噪声放大器,该放大器采用TSMC 0.25 μm RF CMOS工艺制作。与传统的共源共栅结构相比,该电路引入了级间耦合电容,使整个电路的功率增益、噪声系数等关键性能指标得到改善。该放大器的正向功率增益为21.8 dB,NF为0.96 dB,IIP3为-11 dBm,功耗为20 mW,且输入输出阻抗匹配良好,满足GPS接收机射频前端对低噪声放大器的要求。A 1.5 GHz low noise amplifier （LNA）, intended for use in a global positioning system （GPS） receiver, has been designed in a TSMC 0.25μm RF CMOS technology. Compared with the traditional cascode structure, this circuit introduces inter-stage coupled capacitances to improve the performance of key parameters, such as power gain and noise figure. The amplifier provides a forward power gain（S21） of 21.8 dB, a noise figure of 0. 96 dB, an IIP3 of -11 dBm,a power dissipation of 20 mW and the input and output impedances match well, satisfying the need of the RF front-end of a GPS receiver.

关 键 词：CMOS射频集成电路 低噪声放大器 耦合电容 噪声系数 全球定位系统 

分 类 号：TN722.3[电子电信—电路与系统]