A Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 3-Line to 8-Line Decoder  

总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 3线-8线译码器(英文)

作　　者：刘梦新[1] 韩郑生[1] 李多力[1] 刘刚[1] 赵超荣[1] 赵发展[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第6期1036-1039,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：The first domestic total dose hardened 2μm partially depleted silicon-on-insulator （PDSOI） CMOS 3-line to 8- line decoder fabricated in SIMOX is demonstrated. The radiation performance is characterized by transistor threshold voltage shifts,circuit static leakage currents,and I-V curves as a function of total dose up to 3× 10^5rad（Si）. The worst case threshold voltage shifts of the front channels are less than 20mV for nMOS transistors at 3 × 10^5rad（Si） and follow-up irradiation and less than 70mV for the pMOS transistors. Furthermore, no significant radiation induced leakage currents and functional degeneration are observed.报道了一种制作在SIMOX晶圆之上的总计量加固的2μm部分耗尽SOI CMOS 3线—8线译码器电路,其辐照特性由晶体管的阈值电压、电路的静态泄漏电流以及电流电压特性曲线表征.实验表明,该译码器的抗总剂量能力达3×105rad(Si) ,nMOS管和pMOS管在最坏情况下前栅沟道阈值漂移分别小于20和70mV,并且在辐照、退火以及后续追加辐照过程中无明显的泄漏电流增加,电路的功能并未退化.

关 键 词：PDSOI DECODER total dose RADIATION 

分 类 号：TN764[电子电信—电路与系统]