MOCVD实现InGaAsP波导对接生长的研究  

Studies on the Butt-Joint of a InGaAsP-Waveguide Realized with Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

作　　者：张瑞康 董雷[1] 余永林[2] 王定理[1] 张靖 陈磊 江山 

机构地区：[1]武汉光迅科技股份有限公司,武汉430074 [2]华中科学技术大学武汉国家光电实验室,武汉430074

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第6期1177-1179,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z427);国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB314903);国家自然科学基金(批准号:60677024)资助项目~~

摘　　要：采用低压MOCVD技术,通过对接界面和对接工艺的优化,获得了高质量的InGaAsP材料构成的对接波导,测量得到的对接波导光学损耗为7cm-1,说明该技术可以用来制作高质量的光电子集成器件.An InGaAsP waveguide is integrated laterally to MQW using LP-MOCVD butt-joint technology. High quality for the regrowth interface and material is achieved. The loss of the butt-jointed waveguide is 7cm^-1. This demonstrates the applicability of butt-joint technology in fabricating high quality future photonic integrated circuits.

关 键 词：MOCVD 对接生长 波导 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学]