光柵外腔半导体激光器H参量模型的理论研究  

Theoretical Study on H Parameter Model of External Cavity Laser Diode

作　　者：黄立平[1] 潘炜[2] 

机构地区：[1]青海民族学院电子工程与信息科学系,青海西宁810007 [2]西南交通大学信息科学与技术学院,四川成都610031

出　　处：《半导体光电》2008年第3期335-338,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10174057,90201011);教育部科学技术研究重点项目(105148);高等学校博士学科点专项科研基金项目(20070613058)

摘　　要：为了研究频率偏离增益峰值时光柵外腔半导体激光器(ECLD)的阈值特性,采用数学建模的方法,将载流子密度随频率的变化按LD模式间隔分段平均化、平移及旋转,建立了H参量模型,得到能表达调谐和双稳特性的解析式;通过数值模拟的方法将H参量模型与以往的ECLD模型作了对比。结果表明:H参量模型解决了不能用同一模型讨论ECLD调谐特性和双稳特性的问题,其不仅能研究调谐范围内的双稳环,且能描述更多的调谐和双稳特性及其关系。To study the threshold characteristics of external cavity laser diode（ECLD） when frequency deviating from the gain peak, H parameter model was established by applying the method of mathematics modeling, and the analytical expressions for the tuning and bistability characteristics were derived. H parameter model was contrasted with prior ECLD model by using numerical imitation. Then the problem of the turning and bistability characteristics can not be studied on the same model has been solved. The hysteresis loop in turning range and more characteristics of turning and bistability also can be studied with this model.

关 键 词：H参量模型 数学建模 阈值载流子密度 平均化 旋转角 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]