铟对GaN基激光器晶体质量的影响  

Quality Improvement of GaN-based Blue-violet Laser Diode by Doping Indium

作　　者：廖辉[1] 杨志坚[1] 张国义[1] 胡晓东[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871

出　　处：《半导体光电》2008年第3期361-364,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金项目(60477011,60776042);国家“973”计划项目(2006CB604908,2006CB921607)

摘　　要：利用高分辨X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对GaN基蓝紫半导体激光器中的n型AlGaN/GaN超晶格在铟背景下进行生长对器件的晶体质量的影响进行了研究分析。分别测量了(0002),(1011),(1012),(1013),(1014),(1015)和(2021)不同晶面的摇摆曲线。利用Williamson-Hall图对X射线衍射的试验结果进行了分析,进而研究了该器件中的线位错。分析表明,在铟背景下生长的n型AlGaN/GaN超晶格相对传统的AlGaN/GaN超晶格而言,可以大大降低GaN基蓝紫半导体激光器中的位错密度并获得较好的晶体质量。这一结论与利用原子力显微镜分析得到的结论完全一致。The n-typed AlGaN/GaN superlattiees of GaN-based blue-violet diode doped with indium was investigated by using high-resolution X-ray diffraction（XRD） and atomic force mieroscopy（AFM）. Rocking curves of seven planes were investigated： （0002）, （1011）, （1012）, （1013）, （1014）, （1015） and （2021）, respectively. XRD analysis by Williamson-Hall plot was employed to investigate the threading dislocation. It was found that n-typed AlGaN/GaN super lattices can reduce more threading dislocation than common n-typed ones in GaN-based blue-violet laser diodes. The results are in good agreement with the study using AFM.

关 键 词：超晶格 X射线衍射 氮化镓 半导体激光器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]