美光·英特尔联盟将投产34nm工艺多值NAND型闪存  

出　　处：《光机电信息》2008年第6期59-59,共1页OME Information

摘　　要：美国美光科技与英特尔将从2008年下半年开始量产采用34nm工艺技术的多值NAND型闪存。该闪存1个芯片的容量为32Gbit，可用于SSD（固态硬盘）。容量比32Gbit小的多值和非多值（SLC：单层单元闪存）产品也将陆续在2008年内投产。

关 键 词：NAND型 英特尔 闪存 工艺 投产 联盟 SSD 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构] TP332[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]