NAND型

作品数：33被引量：57H指数：4
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东芝将投资超5000亿日元新建半导体工厂并与闪迪合作
《半导体信息》2016年第1期39-40,共2页
据《朝日新闻》报道，东芝近日宣布将在位于三重县四日市的半导体工厂新建厂房，并与美国半导体著名品牌闪迪（SanDisk）开展合作，投资金额超过5000亿日元。新厂房预计将于2017年开始投入使用，主要生产用于智能手机的最新型NAND型闪存。
关键词：半导体工厂 投资金额 合作 东芝 《朝日新闻》 NAND型 智能手机 厂房 
东芝将投资超5000亿日元新建半导体工厂 并与闪迪合作
《今日电子》2016年第2期72-72,共1页
东芝近日宣布将在位于三重县四日市市的半导体工厂新建厂房，并与美国半导体著名品牌闪迪（Sandisk）开展合作，投资金额超过5000亿日元。新厂房预计将于2017年开始投入使用，主要生产用于智能手机的最新型NAND型闪存。
关键词：半导体工厂 投资金额 合作 东芝 NAND型 智能手机 厂房 
微电子所展出3D NAND存储器技术成果
《今日电子》2016年第1期25-25,共1页Mary 
在最近召开的第十二届武汉光博会上,微电子所中科新芯三维存储器研发中心与武汉新芯集成电路制造有限公司合作研发的先进3D NAND型闪存存储器芯片亮相大会。该技术成果是微电子所充分发挥产—研联合研发新模式的优势与潜力,经过近8个月...
关键词：存储器芯片 NAND型 技术成果 微电子 3D 集成电路制造 研发中心 工艺流程设计 
TDK推出支持串行ATA6Gbps的高可靠性CFast卡CAS1B系列
《电源技术应用》2015年第11期J0005-J0005,共1页
东京，2015年11月16日－（亚太商讯）－TDK株式会社（社长：上釜健宏）将从2016年1月开始发售搭载有可支持串行ATA6Gbps的NAND型闪存控制IC GBDriverGS1的Chst卡片形状的工业用固态硬盘CAS1B系列产品。
关键词：TDK CFAST 高可靠性 串行 NAND型 控制IC 株式会社 工业用 
无缝坏块处理与流水编程的NAND型内存控制器设计与实现被引量：1
《国防科技大学学报》2015年第1期53-58,共6页闫梦婷 安军社 
中国科学院战略性先导科技资助项目(XDA04060300)
为满足航天大容量存储系统对高速存储及数据完整的需求,实现了一个基于NAND型内存的高性能控制器,提出了一种实现于NAND型内存芯片内部的流水编程机制,以及一种可以保证数据无缝连接的坏块处理机制。介绍了存储控制器的各个模块设计,并...
关键词：NAND型内存控制器 固态存储器 坏块处理机制 流水存储机制 
NAND型Flash存储器总剂量效应实验研究被引量：6
《原子能科学技术》2014年第8期1502-1507,共6页盛江坤 邱孟通 姚志斌 何宝平 黄绍艳 刘敏波 肖志刚 王祖军 
针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺...
关键词：NAND型Flash存储器 总剂量效应 辐照偏置 工艺尺寸 
浅析闪速存储器接口的类型与应用
《电子世界》2012年第21期92-93,共2页谢亚立 
本文主要对闪速存储器(闪存)的接口类型和应用进行浅析。通过对闪速存储器的NOR型和NAND型所涉及到的各种接口分类、接口应用的时序和传输方式的比较,进一步的阐明了闪速存储器接口的特性和应用的趋势。
关键词：闪速存储器 接口 闪存 NOR型 NAND型 
NAND型闪存不溢出存储设计
《长安大学学报（自然科学版）》2012年第4期99-104,共6页陈荔 张菁 
国家自然科学基金项目(60806043);中央高校基本科研业务费专项资金项目(CHD2011JC118)
针对在无人值守的工作环境下,数据存储系统由于数据量太大而发生溢出的现象,以K9K8G08U0A闪存为例,设计读、写、擦除基本的操作,引入非离散数据与离散数据的概念来标识需要存储的数据,利用数据回卷机制来存储数据,把存储空间分成坏块记...
关键词：NAND型闪存 离散数据 事务回滚 反向分析 存储机制 
Single Chip固态硬盘
《今日电子》2012年第5期62-62,共1页
Single Chip固态硬盘eSSD系列是通过多芯片封装技术（MCP），把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型闪存一芯化的Serial ATA（SATA）3Gbps SSD。
关键词：CHIP 硬盘 固态 多芯片封装技术 SERIAL NAND型 SD系列 SSD 
OAFTL:一种面向企业级应用的高效闪存转换层处理策略被引量：5
《计算机研究与发展》2011年第10期1918-1926,共9页綦晓颖 汤显 梁智超 孟小峰 
国家自然科学基金项目(60833005;91024032;61070055);中国人民大学科学研究基金项目(10XNI018);"核高基"国家科技重大专项基金项目(2010ZX01042-002-003)
基于NAND闪存的存储设备通过引入闪存转换层来对闪存芯片进行封装,使得闪存存储设备像普通块设备一样使用.闪存转换层算法的性能很大程度上决定了闪存设备的存储性能,已有方法尽管可以在嵌入式环境下正常工作,但当应用到随机访问频繁的...
关键词：NAND型闪存 闪存转换层 页级地址映射 存储管理 固态硬盘 
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