微电子所展出3D NAND存储器技术成果  

作　　者：Mary 

出　　处：《今日电子》2016年第1期25-25,共1页Electronic Products

摘　　要：在最近召开的第十二届武汉光博会上,微电子所中科新芯三维存储器研发中心与武汉新芯集成电路制造有限公司合作研发的先进3D NAND型闪存存储器芯片亮相大会。该技术成果是微电子所充分发挥产—研联合研发新模式的优势与潜力,经过近8个月的技术攻关,与武汉新芯集成电路制造有限公司联合研发的首款具备9层存储结构的三维存储器件。微电子所科研人员承担了工艺流程设计、关键工艺模块开发、存储器测试芯片设计等重要任务。

关 键 词：存储器芯片 NAND型 技术成果 微电子 3D 集成电路制造 研发中心 工艺流程设计 

分 类 号：TN41[电子电信—微电子学与固体电子学]