P型ZnO薄膜的制备及其在太阳电池中的初步应用  

Fabrication of P Type ZnO Thin Film and Its Application in Solar Cells

作　　者：焦宝臣[1,2] 张晓丹[1] 赵颖[1] 孙建[1] 魏长春[1] 杨瑞霞[2] 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津300071 [2]河北工业大学信息工程学院,天津300130

出　　处：《人工晶体学报》2008年第3期602-605,共4页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：天津市自然科学基金(05YFJMTC01600);国家自然科学基金项目(No.60506003);南开大学博士启动基金(J02031);科技部国际合作重点项目(2006DFA62390);国家重点基础研究发展规划项目(No.2006CB202602,2006CB202603);新世纪优秀人才计划

摘　　要：利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在corning 7059衬底上生长出p型透明导电膜。该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上。X射线衍射的测试结果表明:p型透明导电膜具有c轴择优生长特性。通过霍耳测试得到p型ZnO薄膜的电学特性为:电阻率为4.21Ω.cm、迁移率是0.22cm2/(V.s)、载流子浓度为6.68×1018cm-3。此材料初步应用到微晶硅电池中,其开路电压为0.47V。ZnO based p type transparent conductive films were fabricated on corning 7059 by ultrasonic spray pyrolysis using N-Al co-doping method.These films have rather high average transmittance over 90% in the range of 400-800 nm.Results of X-ray diffusion（XRD）measurements indicate that the films exhibit preferred c-axis orientation.Electrical properties of the films were measured by HL 5500 system with Van der paw method.Resistance,hall mobility,and carrier concentration are 4.21 Ω·cm,0.22 cm^2/（V·s）,and 6.68×10^18 cm^-3,respectively.Microcrystalline silicon solar cells were fabricated by using this kind of film as electrodes,and open circuit voltage amounts to 0.47 V.

关 键 词：ZNO薄膜 P型 透明导电薄膜 太阳电池 

分 类 号：O484[理学—固体物理]