ZnSeTe/ZnTe多量子阱中载流子动力学过程  

Dynamics of Carriers in ZnSeTe/ZnTe Multiple Quantum Wells

作　　者：金华[1] 刘舒[1] 张立功[2] 郑著宏[2] 申德振[2] 

机构地区：[1]中国人民公安大学安全防范系,北京102416 [2]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春130033

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第7期1326-1329,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：用飞秒脉冲泵浦-探测技术通过时间分辨差分透射谱和透射衰减曲线研究了ZnSe0.2Te0.8/ZnTeII型多量子阱结构中热载流子的产生、弛豫及复合过程.观察到阱层和垒层中热载流子的形成,ZnTe垒层中热载流子在10ps左右会弛豫回ZnTe基态,并在10ps内注入到ZnSeTe阱层并辐射复合.The generation, relaxation, and recombination of hot carriers in ZnSeTe/ZnTe type II multiple quantum well （MQW） structures are investigated using photoluminescence （PL） spectra and the femtosecond pulse pump-probe technique. The generation of hot carriers in barrier layers and well layers is observed by time-resolved differential transmission spectra. The cooling time of hot carriers in ZnTe layers is about 10ps. Carrier capturing from the ZnTe barrier layer to the ZnSeTe well layer is also in the time scale of 10ps.

关 键 词：ZnSeTe/ZnTe多量子阱 热载流子 泵浦-探测 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理] O473[理学—物理]