外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性  

Current Characteristics of High-Electron-Mobility Transistors Driven by a Terahertz Field and Magnetic Field

作　　者：王立敏[1] 曹俊诚[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第7期1357-1359,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60425415;60721004);国家重点基础研究发展规划(批准号:2007CB310402);上海市基础研究重大项目(批准号:06dj14008)资助项目~~

摘　　要：外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移.因此通过改变磁场能够对HEMT的振荡响应实现有效调谐.When a high-electron mobility transistor （HEMT） is driven by a terahertz （THz） field and magnetic field,plasma oscillation appears in the channel of the HEMT. We have investigated the effect of the THz field and magnetic field on the current characteristics of the HEMTs. The results show that the peaks of the responsivities of the HEMT exhibit blueshift as the magnetic field increases. We may tune the frequencies of the plasma oscillation by changing the magnetic field.

关 键 词：高电子迁移率晶体管 太赫兹场 磁场 响应率 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]