王立敏

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：太赫兹高电子迁移率晶体管磁场作用磁场电流特性更多>>
发文领域：电子电信核科学技术更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会基础研究重点项目国家重点基础研究发展计划上海市卫生系统百名跨世纪优秀学科带头人培养计划更多>>
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高电子迁移率晶体管太赫兹探测器特性
《功能材料与器件学报》2008年第4期787-792,共6页王立敏 
国家杰出青年基金(批准号:60425415);;国家自然科学基金重大项目(批准号:10390162);上海市优秀学科带头人计划(A类;批准号:05XD14020)
计算了外加太赫兹(THz)辐射下高电子迁移晶体管(HEMT)的导纳和探测响应率与入射THz辐射频率的依赖关系。结果表明,随着栅下沟道长度的增大,导纳和响应率的峰出现红移,同时高度有所下降;随着栅电压的增大,导纳和响应率的峰出现蓝移,并且...
关键词：HEMT TERAHERTZ 导纳 响应率 
外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1357-1359,共3页王立敏 曹俊诚 
国家自然科学基金(批准号:60425415;60721004);国家重点基础研究发展规划(批准号:2007CB310402);上海市基础研究重大项目(批准号:06dj14008)资助项目~~
外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移....
关键词：高电子迁移率晶体管 太赫兹场 磁场 响应率 
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