高电子迁移率晶体管太赫兹探测器特性  

High-electron-mobility transistors as terahertz detectors

作　　者：王立敏[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《功能材料与器件学报》2008年第4期787-792,共6页Journal of Functional Materials and Devices

基　　金：国家杰出青年基金(批准号:60425415);;国家自然科学基金重大项目(批准号:10390162);上海市优秀学科带头人计划(A类;批准号:05XD14020)

摘　　要：计算了外加太赫兹(THz)辐射下高电子迁移晶体管(HEMT)的导纳和探测响应率与入射THz辐射频率的依赖关系。结果表明,随着栅下沟道长度的增大,导纳和响应率的峰出现红移,同时高度有所下降;随着栅电压的增大,导纳和响应率的峰出现蓝移,并且高度有所上升。这些研究在太赫兹等离子探测器的设计上有着重要的作用。The gate - to - source/drain admittance and the detection responsivity of the high - electron - mobility transistor （HEMT） driven by the terahertz（THz） radiation was calculated. The results indica that the peaks of the admittances and the responsivities show redshift, and the heights of the peaks decrease with the length of channel beneath the gate increasing. The peaks of the admittances and the responsivities show blueshift, and the heights of the peaks increase with the gate voltage increasing. The present analysis may be helpful to the design of THz plasma detectors.

关 键 词：HEMT TERAHERTZ 导纳 响应率 

分 类 号：TL814[核科学技术—核技术及应用]