温度对数字电路中单粒子瞬态脉冲的影响  

Temperature Dependence of Digital Single Event Transient

作　　者：梁斌[1] 陈书明[1] 刘必慰[1] 

机构地区：[1]国防科技大学计算机学院,长沙410073

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第7期1407-1411,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：武器装备预研基金资助项目(批准号:9140A08040507KG01)~~

摘　　要：利用三维TCAD混合模拟研究了温度对0.18μm工艺下反相器链中DSET脉冲宽度的影响.结果发现,温度对DSET的影响要比温度对SEU的影响严重得多.在LET为60MeV.cm2/mg的条件下,当温度从-55℃升高到125℃时,DSET脉冲宽度约增加了58.8%.Using mixed-mode simulation,the temperature dependence of digital single event transient （DSET）in an inverter chain has been studied. It was found that the temperature dependence of DSET is much more serious than that of SEU. When the temperature rises from -55 to 125℃ ,the width of DSET increases about 58. 8%.

关 键 词：混合模拟 DSET 超深亚微米 辐射 

分 类 号：TN79[电子电信—电路与系统]