LPCVD制备氮化硅薄膜工艺  

作　　者：简崇玺 

机构地区：[1]中国兵器工业第214研究所,蚌埠233042

出　　处：《集成电路通讯》2008年第2期18-21,共4页

摘　　要：氮化硅(Si3N4)薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛。本文简要介绍了利用CVD方法制备Si3N4薄膜以及Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)LPCVD制备氮化硅的工艺。工艺制备中通过工艺参数的调整使批量生产的淀积膜的均匀性达到技术要求。

关 键 词：氮化硅薄膜 低压化学气相淀积 温度 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学] TB43[一般工业技术]