闪存芯片(NOR)编程特性与可靠性的研究  

Research of Flash Memory Programmable and Reliability

作　　者：范娅玲[1] 

机构地区：[1]苏州大学电子信息学院

出　　处：《苏州大学学报（工科版）》2008年第3期64-68,共5页Journal of Soochow University Engineering Science Edition (Bimonthly)

摘　　要：NOR型闪存是两大主要闪存之一,是研发其他融合性产品的基础,所以更好地理解NOR型闪存具有基础作用。而擦除失效和可靠性问题是NOR型闪存存在的主要问题。针对NOR型闪存在低温擦除时的失效问题进行试验分析,以期找到解决擦除失效的根本方法或降低擦除失效率,并保证产品的可靠性不受影响。这对未来的融合性产品也有一定的参考意义。As one of the major flash memory, NOR is the foundation of developing other advanced products, so it＇s very essential to well understand NOR. Erase and reliability are the major points of NOR flash. This article will analyze erase failure at cold temperature and related reliability problem to find out a way to improve passing yield also to make sure the high reliability.

关 键 词：写 擦除 阈值电压 写过重 擦过重 预写 微写 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]