硅光电检测器  

出　　处：《有机硅氟资讯》2008年第7期28-28,共1页Silicone and Fluorine Information

摘　　要：本实用新型公开了一种硅光电检测器，硅光电检测器的N＋层的下表面设置有N型欧姆接触层，非掺杂本征层上端设有绝缘层，绝缘层上设置有与P＋型浓硼扩散层接触的P型欧姆接触层，绝缘层上具有一个入射光窗口，硼扩散区位于该入射窗口的下方，非掺杂本征层位于N＋层与硼扩散区之间，所述硼扩散区还包含有一P型淡硼扩散层，该P型淡硼扩散层位于非掺杂本征层与P＋型浓硼扩散层之间，

关 键 词：光电检测器 硅 硼扩散 绝缘层 本征层 非掺杂 扩散层 实用新型 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] TG335.56[金属学及工艺—金属压力加工]