线性GaAs光电导开关的饱和参数研究  

作　　者：杨宏春[1] 阮成礼[1] 孙庆玲[1] 张克迪[1] 张鹏程[1] 张达[1] 

机构地区：[1]电子科技大学物理电子学院,成都610054

出　　处：《科学通报》2008年第13期1516-1522,共7页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家重点实验室基金(编号:YAK200501);电磁脉冲技术研究(编号:RY0405)资助项目

摘　　要：通过计算几种主要散射机制对GaAs迁移率和电导率的影响,给出了GaAs迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律;考虑常温、低偏置电场下费米能级对载流子浓度的约束,给出了光激励下GaAs中的饱和载流子浓度;结合微带实验测试电路方程、饱和载流子浓度计算结果、半导体迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律,以及半导体材料对激励光强的朗伯吸收规律,给出了微带测试电路条件下的饱和光能和饱和电压等参数,在实验误差范围内,理论计算结果与实验测试结果较好吻合.

关 键 词：散射机制 电导率 迁移率 饱和光能 饱和输出电压 

分 类 号：O473[理学—半导体物理]