1×12元InSb混合红外CCD器件性能参数讨论  

作　　者：李菊兰[1] 田种运[1] 

机构地区：[1]昆明物理研究所

出　　处：《红外技术》1990年第2期32-35,共4页Infrared Technology

摘　　要：本文主要介绍一种采用时间延迟积分模式的硅CCD和1×12元InSb红外探测器互连而成的器件,并就如何提高其探测率进行了讨论。

关 键 词：红外 CCD器件 参数 INSB 探测器 

分 类 号：TN361[电子电信—物理电子学]