区熔法生长掺Sb-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体  

作　　者：王珏[1] 刘激鸣[2] 俞振中[2] 汤定元[2] 

机构地区：[1]同济大学物理系 [2]中国科学院上海技术物理研究所

出　　处：《红外技术》1990年第5期26-29,共4页Infrared Technology

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：报道了用区熔法生长掺Sb-Hg(1-x)Cd_xTe晶体的工作,求得其分凝系数为5×10^(-4)。对这种掺杂晶片的电学测量及简单光伏器件制作的结果表明:Sb元素为受主杂质,利用掺Sb-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体作为光伏器件的p型基底材料是可行的。

关 键 词：掺Sb-HgCd 晶体材料 区熔法 制备 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]