俞振中

作品数：10被引量：2H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题：HGCD碲镉汞液相外延INSB更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺天文地球更多>>
发文期刊：《功能材料》《红外与毫米波学报》《Journal of Semiconductors》《红外技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
MOCVD－Hg_（1－x）Cd_xTe／CdTe／GaAs外延材料红外吸收光谱研究被引量：2
《红外与毫米波学报》1994年第3期191-198,共8页杨建荣 何进 沈寿珍 马可军 俞振中 
高技术基金
从理论上完成对ＭＯＣＶＤ工艺生长的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ材料的透过率、吸收边和相干行为的计算．结果表明光的干涉条纹与外延层ＨｇＣｄＴｅ和缓冲层ＣｄＴｅ的总厚度相关，其透过率不能直接反映材料的内在质量．计算结...
关键词：薄膜 红外光谱 碲镉汞 红外材料 
垂直浸渍液相外延Hg_(1-x)Cd_xTe的生长及性能
《功能材料》1993年第3期231-237,共7页陈新强 褚君浩 张恕明 张小平 俞振中 周捷 邢思皓 蔡琤 季华美 
本文报导采用汞回流垂直浸渍液相外延方法,在CdTe或CdZnTe(111)面的衬底上生长Hg_(1-x)Cd_xTe单晶,其厚度为20μm,面积为1.5×2cm^2,组分x从0.18到0.7,组分均匀性Δx≈0.001。样品经热处理以后,x=0.2的n型样品电子浓度n≈1×10^(15)cm^(...
关键词：晶体生长 液相外延 碲镉汞 性能 
剩余杂质对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体光吸收的影响
《Journal of Semiconductors》1990年第12期950-953,共4页王珏 陆卫 刘激鸣 俞振中 汤定元 
国家自然科学基金
研究了Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体经吸除工艺处理前后的透射光谱,发现样品经吸除处理后的光吸收发生明显变化,分析认为因吸除工艺降低了样品内的剩余杂质含量,从而减少了杂质参与的光吸收,利用受主“掺杂”实验进一步验证了上述解释。
关键词：剩余杂质 HGCDTE晶体 光吸收 
红外吸收法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片的P型夹杂
《红外研究》1990年第6期441-445,共5页黄长河 司承才 季华美 俞振中 汤定元 
提出了一种用室温红外吸收方法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片中P型夹杂程度的简单方法。
关键词：光吸收法 晶体 N型 P型夹杂 
P型闪锌矿半导体带内光吸收的计算
《红外研究》1990年第5期396-400,共5页黄长河 俞振中 汤定元 
采用Kane模型的重空穴带波函数,导出重空穴带带内跃迁的光吸收理论公式,其结果近似为采用球对称波函数计算结果的一半。
关键词：P型 闪锌矿 半导体 带内光吸收 
Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体电学参数反常的检测和分析
《红外研究》1990年第5期351-358,共8页杨建荣 俞振中 刘激鸣 汤定元 
系统地分析和研究了N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体电学参数的各种表现,从中归纳出三种霍耳参数反常的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料及其霍耳参数随温度和磁场变化的特征。通过实验和理论分析找出这三类材料电参数反常的起因,给出了正确判断材料...
关键词：HGCDTE 半导体 缺陷 电学性质 
掺Sb弱P型Hg_(1-x)Cd_xTe晶体光电特性研究
《红外研究》1990年第5期359-364,共6页王珏 黄长河 刘激呜 俞振中 汤定元 
国家自然科学基金
利用杂质分凝效应制备弱P型掺Sb-HgCdTe晶体,测量了样品的电学特性、红外光谱及以掺杂样品作衬底制成的PN结的伏安特性,并与未掺杂P型HgCdTe进行了比较,结果表明用掺Sb-HgCdTe晶体可制作性能良好的光伏探测器。
关键词：掺杂 P型 HGCDTE 电学特性 SB 
区熔法生长掺Sb-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体
《红外技术》1990年第5期26-29,共4页王珏 刘激鸣 俞振中 汤定元 
国家自然科学基金
报道了用区熔法生长掺Sb-Hg(1-x)Cd_xTe晶体的工作,求得其分凝系数为5×10^(-4)。对这种掺杂晶片的电学测量及简单光伏器件制作的结果表明:Sb元素为受主杂质,利用掺Sb-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体作为光伏器件的p型基底材料是可行的。
关键词：掺Sb-HgCd 晶体材料 区熔法 制备 
准平面型InSb光伏列阵红外探测器
《红外与毫米波学报》1984年第2期147-149,共3页俞振中 王留福 陈新强 沈寿珍 葛友放 胡文军 
在台式光敏面基础上,采用SiO_2介质掩蔽,金属膜延伸电极和衬底区超声引焊电极引线,研制成InSb光伏型列阵的准平面型器件。由本工艺制备的器件具有无串音、结阻抗高、反向耐压高、稳定性好等良好性能。
关键词：平面型 光敏面 串音 串话 红外探测器 IR 探测器 实验设备 光伏器件 INSB 
Insb 液相外延层内的两类层错
《Journal of Semiconductors》1983年第4期407-409,共3页俞振中 马可军 金刚 
实验表明,IuSb液相外延层内存在着两类层错,即哑铃状层错与杆状层错.对两类层错的形态,结构与相互之间的作用进行了观察.分析表明,哑铃状层错为本征型层错,四周围以Shockley不全位错,而杆状层错很可能为非本征型层错.最后对层错的形成...
关键词：层错 外延层 哑铃状 INSB 不全位错 液相外延 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部